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产品名称: | 砷化镓(GaAs)晶体基片
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技术参数: | 单晶: 砷化镓(GaAs) 掺杂: None;Si;Cr;Te;Zn 导电类型: SI;N;Si;N;P 载流子浓度cm-3: /> 5x1017 /~2x1018 >5x1018 位错密度cm-2: <5x105 生长方法及最大尺寸: LEC & HB Ø3"
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产品规格: | 常规晶向:<100>、<110>、<111>; 晶向公差:±0.05° 常规尺寸:5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm; dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm; 抛光情况:细磨、单抛、双抛; 表面粗糙度Ra:<15A
注:可按照客户要求加工尺寸和晶向
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标准包装: | 1000级超净室100级超净袋真空封装或单片盒装 |
宝贝与描述相符
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