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GaAs\砷化镓晶体

砷化镓晶体基片

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产品名称:

砷化镓(GaAs)晶体基片

 

技术参数:

 单晶:  砷化镓(GaAs)  掺杂:  None;Si;Cr;Te;Zn  导电类型:  SI;N;Si;N;P  载流子浓度cm-3:  /> 5x1017     /~2x1018    >5x1018  位错密度cm-2:  <5x105  生长方法及最大尺寸:  LEC & HB Ø3"

 

产品规格:

常规晶向:<100><110><111>

晶向公差:±0.05°

常规尺寸:5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm;

         dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

抛光情况:细磨、单抛、双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

 

注:可按照客户要求加工尺寸和晶向

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空封装或单片盒装

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