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Cd1-xZnxTe晶体基片

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产品名称:

Cd1-xZnxTe晶体基片

产品简介:

II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。

技术参数:

晶体名称: Cd 1-x ZnxTe   生长方法: Bridgeman 结构: 立方 晶格常数(A): a=6.486 密度 ( g/cm3): 5.851  熔点 (oC): 1045 热容  (J /g.k): 0.210 热膨胀系数(10-6/K): 5.0

产品规格:

常规晶向:<111>;

常规尺寸:10x10x0.5mm、10x10x1.0mm;

抛光情况:细磨、单抛、双抛;

常规电阻率:R>1x10^6 Ω.cm;

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装:

1000级超净室100级超净袋

 


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