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| 名称： | Si晶体 | |
| 产品简介： | Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 | |
| 技术参数： | 掺杂类型 | 不掺杂 |
| 电阻率Ω.cm | 102~104 | |
| EPD(cm-2 ) | ≤ 100 | |
| 氧含量( /cm3 ) | ≤1.8 x1018 | |
| 碳含量( /cm3 ) | ≤5x1016 | |
| 产品规格： | 常规晶向：<001> 、<100>； 常规尺寸：10x5x0.5mm；10x10x0.5mm； 抛光情况：单抛、双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。 | |
| 标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装 | |
| 晶圆电阻率(Ω.cm) | < 0.05 | 1 ~ 5 | 6 ~ 12 | > 30 |
| 应用 | 外延衬底 | 太阳能电池 | IC，OE设备或传感器 | 特殊设备或组件 |
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