MgO/氧化镁单晶

氧化镁单晶衬底

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主要性能参数
生长方法	弧熔法
晶体结构	立方
晶格常数	a=4.130 Å
熔点（℃）	2800
纯度	99.95%
密度（g/cm³）	3.58
硬度	5.5（mohs）
热膨胀系数（/℃）	11.2x10^-6
晶体解理面	<100>
光学透过	>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）
介电常数	ε= 9.65
热导率（卡／度厘米秒）	0.14 300°K
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
尺寸	dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
主要特点	由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
主要用途	用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。
包装	100级洁净袋，1000级超净室