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单晶硅片

Si plate <100> (本征/N型/P型) 单抛

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化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料



技术参数


掺杂类型不掺杂电阻率Ω.cm102~104EPD(cm-2 )≤ 100氧含量( /cm3 )≤1.8 x1018碳含量( /cm3 )≤5x1016晶圆电阻率(Ω.cm)< 0.051 ~ 56 ~ 12> 30应用外延衬底太阳能电池IC,OE设备或传感器特殊设备或组件


产品规格

晶体方向:<111> ;<100>;<110>±0.5° 或者特殊方向

 

常规尺寸:dia2"x0.5mmdia3"x0.5mm 、dia4"x0.5mm、 dia5" 、dia6" 、 dia8"

 

抛光情况:细磨、单抛、双抛;


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