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Bi4Ge3O12/锗酸铋晶体

锗酸铋晶体基片

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产品名称:锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片
产品简介:      锗酸铋(Bi4Ge3O12简称BGO)是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体,它不溶于水,在高能粒子或高能射线(x-射线、γ-射线)激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点,所以是一种优良的闪烁体,广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。
技术参数:晶体结构

立方

生长方法提拉法
熔点1050℃
密度7.12g/cm3
莫氏硬度

5mohs

折射率

2.098 at 632.8nm

透过波段 (microns)350~5500nm
电光系数 (x10-12m/V ) r41    1.03
激发光谱305nm
荧光光谱
480~510nm
相对光输出10~14%     Nal (Tl)
衰减时间300ns
临界能量10.5Mev
能量分辨率(511千电子伏特)20%
产品规格:

<100>, <001>公差:+/-0.5度

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm

单抛或双抛,Ra<5A

可按客户要求定制方向和尺寸。

标准包装:1000级超净室,100级超净袋真空包装


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