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Cd1-xZnxTe/碲锌镉

Cd1-xZnxTe晶体基片

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产品名称:
  • Cd1-xZnxTe晶体基片

产品简介:  CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体,改变Zn的组分,其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调,能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的最佳HgCdTe衬底。
技术参数:晶体结构立方
晶格常数a = 6.483 – 6.446
熔点(oC)1975

热熔(J/g.k)

0.125
密度5.605g/cm3
热膨胀系数(10-6/K)

6.5 // a  3.7 // c

类型P型
导热系数(W/m.k at 300k)

30

透明波长400~600nm
电阻率(ohm-cm)低 R:104  高 R:>106
载体浓度cm³

低 R:~1015  高R :~1012

产品特点:
  • 良好的导电性能;

  • 广发可调和直接带隙

  • 较高的吸收系数;

  • 与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好;

  • 温和的热膨胀性

产品规格:

常规晶向:<111> 或者<211>,B面,±0.5度

尺寸:15x15mm;15x20mm;20x20mm;

      20x25mm;25x30mm;30x30mm;

      厚度1mm。

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。


标准包装:1000级超净室,100级超净袋真空包装


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